제품정보

MZ-N5E250BW

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3D V-NAND란 무엇이며, 기존 기술과 어떤 차이점이 있을까요?

Samsung 고유의 혁신적인 3D V-NAND 플래시 메모리 아키텍처는 오늘날의 기존 평면 NAND 아키텍처의 집적도 한계, 성능 및 내구성 등의 제약을 극복한 획기적인 기술입니다. 3D V-NAND 기술에서는 셀의 부피를 줄여 고정된 수평 공간에 맞추려 하지 않고 32개의 셀 층을 수직으로 차곡차곡 쌓아 올립니다. 따라서, 이 기술을 활용하면 공간이 좁아지더라도 집적도와 성능은 향상됩니다.

뛰어난 읽기/쓰기 속도를 위한 TurboWrite 기술로 컴퓨팅을 최적화

Samsung의 TurboWrite 기술로 최고의 읽기/쓰기 성능을 달성해 일상의 컴퓨팅 경험을 극대화할 수 있습니다. 840 EVO에 비해 850 EVO는 전반적으로 약 13%*의 사용자 경험이 강화 되었음을 보여주며, 이는 부분적으로 랜덤 쓰기 속도**가 현재의 2배 더 빨라졌기 때문입니다. 연속 읽기 및 쓰기 속도가 각각 540MB/s와 520MB/s인 850 EVO는 압도적으로 동급 최고 수준의 성능을 보여줍니다. 클라이언트 PC 사용 시나리오의 모든 QD(Queue Depth)에서 최적화된 랜덤 성능을 만끽하십시오.

※자사실험 결과로, 실사용 환경에 따라 차이가 있을 수 있음

* PCmark7(250GB): 6700(840 EVO) < 7600(850 EVO)
** 랜덤 쓰기(QD32,120GB): 36,000 IOPS(840 EVO) < 88,000 IOPS(850 EVO)

RAPID mode로 메모리 스토리지 증가

Samsung 850 EVO M.2는 일종의 스피드 머신이라고 할 수 있습니다. 최신 Samsung Magician 소프트웨어를 이용해 RAPID mode를 활성화하면 사용하지 않는 PC 메모리(DRAM)를 전체 DRAM 용량의 최대 25%까지 캐시 스토리지로 활용할 수 있습니다. 스토리지가 크게 증가하면서 데이터 처리 속도와 랜덤 QD는 RAPID mode에서 최대 2배*까지 빨라질 수 있습니다.

※자사실험 결과로, 실사용 환경에 따라 차이가 있을 수 있음

* PCMARK7 RAW (250GB): 7500 < 15000 (RAPID mode)

3D V-NAND 기술이 뒷받침하는 내구성과 안정성

850 EVO는 5년 보증 기간을 제공하며, 이와 함께 이전 세대인 840 EVO*에 비해 2배 더 많은 Total Bytes Written(TBW)을 지원하여 내구성과 안정성을 보장합니다. 850 EVO는 최대 30%의 성능 개선을 통해 성능**을 안정적으로 유지할 수 있으며, 이를 통해 믿을 만한 스토리지 솔루션 중 하나가 되었습니다.

※자사실험 결과로, 실사용 환경에 따라 차이가 있을 수 있음

* TBW : 43(840 EVO) < 75(850 EVO 120/250GB), 150(850 EVO 500/1TB)
** Sustained Performance(250GB) : 3300 IOPS(840 EVO) < 6500 IOPS(850 EVO), '랜덤 쓰기' 테스트 수행 12시간 후에 성능을 측정함

3D V-NAND가 뒷받침하는 에너지 효율성

840 EVO는 2mW 장치 절전 모드 기능을 도입했고, 현재는 850 EVO가 첨단 3D V-NAND 기술(평면 2D NAND에 비해 에너지 소비량이 50% 적음)을 도입해 쓰기 작업 중 전력 효율성을 25% 높였습니다 *.

※자사실험 결과로, 실사용 환경에 따라 차이가 있을 수 있음

* 전력(250GB): 3.2W(840 EVO) > 2.4W(850 EVO)

다양한 유형의 기기에서 사용할 수 있는 유연한 폼 팩터s

다용도의 850 EVO는 기기가 지원하는 커넥터 유형이나 물리적인 슬롯 크기와 상관없이 제 성능을 발휘합니다. 850 EVO M.2 SATA는 M.2 PCIe 타입의 SSD와 마찬가지로 슬림하고 협소하지만, SATA 인터페이스를 지원합니다. 850 EVO M.2 SATA는 오늘날의 데스크탑, 노트북, 그리고 특히 공간 제약이 따르는 초박형의 태블릿 PC에서 보다 빠른 컴퓨팅 성능을 구현하기에 적합합니다.

고급 암호화 기법을 통한 데이터 보호

850 EVO는 최신 하드웨어 기반의 전체 디스크 암호화 엔진으로 보안을 강화합니다. AES 256비트 암호화 및 TCG Opal 2.0 암호화는 성능 저하 없이 데이터를 안전하게 보호합니다. 또한 Microsoft의 eDrive용 IEEE-1667과 호환되므로 데이터를 안전하게 보호할 수 있어 안심할 수 있습니다.

Dynamic Thermal Guard를 통한 과열 방지

850 EVO Dynamic Thermal Guard는 드라이브가 최적으로 작동할 수 있는 이상적인 온도를 지속적으로, 그리고 자동으로 모니터링해 유지합니다.

간단하고 신속한 마이그레이션 관리

사용자의 편의를 위해 One-Stop Install Navigator와 Samsung Data Migration 및 Magician 소프트웨어가 동시에 설치되어 SSD 설정이 효율적인 데이터 전송에 최적화되도록 지원합니다.

최적의 품질의 구성 요소가 포함된 자체 통합 솔루션 경험

SSD 업계의 선두 기업으로서 Samsung은 설계, 개발 및 제작을 모두 자체적으로 해결할 수 있는 기업이므로, 결국 성능 강화와 구성 요소 호환 오류 제거를 위한 최적화된 통합 솔루션을 개발할 수 있었습니다.

MZ-N5E250BW

본 컨텐츠를 불법으로 도용했을 경우, 저작권법에 의건 민,형사상의 책임을 지게 되니 무단 전제와 복제를 금합니다.

MZ-N5E250BW Spec
항목		내용
일반사양	모델명	Samsung SSD 850 EVO M.2
	응용처	클라이언트 PC
	용량	250 GB (1GB=1,000,000,000 byte IDEMA 규칙에 의거함)
	크기	최대 80.15 x 최대 22.15 x 최대 2.38 (mm)
	무게	최대 6.8g
	인터페이스	SATA 6Gb/s (SATA 3Gb/s & SATA 1.5Gb/s 호환 가능)
	스토리지 메모리	Samsung 32 layer 3D V-NAND
	컨트롤러	Samsung MGX Controller
	캐시 메모리	Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
	소프트웨어	Samsung Magician 소프트웨어, Data Migration 소프트웨어
특장점	TRIM	TRIM 지원
	S.M.A.R.T	S.M.A.R.T 지원
	GC (Garbage Collection)	GC (Garbage Collection): 자동
	Disk Encryption	AES 256 bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
	WWN (World Wide Name)	World Wide Name 지원
성능	Sequential Read	Up to 540 MB/sec
	Sequential Write	Up to 500 MB/sec
	Random Read	Up to 97,000 IOPS
	Random Write	Up to 89,000 IOPS
환경특성	유효전력	2.4 Watts (Average) *유효 전력은 평가환경 및 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
	유휴전력	최대 50mWatts *유휴 전력은 평가환경 및 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다. 2mW (Device sleep 시)
	최대전력	3.7 Watts (Burst) *최대 전력은 평가환경 및 시스템 구성에 따라 달라질 수 있습니다.
	허용전력	5V ± 5 %
	신뢰도 (MTBF)	1,500,000 시간
	작동온도	0 - 70 ℃
	내충격성	1,500 G & 0.5ms
액세서리	CD	소프트웨어, 사용자 설명서, 품질보증서 등
	인쇄물	SSD 설치가이드, 품질보증서
	설치용 액세서리	N/A
보증		5년 또는 75 TBW 제한 보증
상품 기본정보	제조자/수입자	삼성전자㈜
	제조국	한국, 중국 병행 생산
	KC 인증 필 유무	유(MSIP-REM-SEC-MZ-N5E250)
	동일모델의 출시년월	2015년 4월
	A/S 책임자와 전화번호	삼성전자서비스센터 / 1588-3366
	품질보증기준	결함·하자 등에 따른 소비자피해에 대해서는 소비자분쟁해결기준(소비자기본법 제16조)에 따라 보상 가능

**상품 상세 스펙**
상품 상세 정보 제공
[기본사양]
제조회사	삼성전자	등록년월	2015년 04월
제품분류	내장형SSD	폼팩터	M.2 (2280)
인터페이스	SATA3 (6Gb/s)	용량	250GB
낸드 구조	3D낸드	컨트롤러	삼성 MGX Controller
[성능]
순차읽기	540MB/s	순차쓰기	500MB/s
읽기IOPS	최대 97K	쓰기IOPS	최대 89K
지원기능
TRIM	O	GC	O
[환경특성]
MTBF	150만시간
A/S기간
5년	O
[크기/무게]
가로	80.15mm	세로	22.15mm
두께	2.38mm
KC인증
적합성평가인증	MSIP-REM-SEC-MZ-N5E250 인증번호 확인
안전확인인증	상세설명 / 판매 사이트 문의 인증번호 확인

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삼성전자 850 EVO M.2 SATA (250GB)

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MZ-N5E250BW

3D V-NAND란 무엇이며, 기존 기술과 어떤 차이점이 있을까요?

뛰어난 읽기/쓰기 속도를 위한 TurboWrite 기술로 컴퓨팅을 최적화

RAPID mode로 메모리 스토리지 증가

3D V-NAND 기술이 뒷받침하는 내구성과 안정성

3D V-NAND가 뒷받침하는 에너지 효율성

다양한 유형의 기기에서 사용할 수 있는 유연한 폼 팩터s

고급 암호화 기법을 통한 데이터 보호

Dynamic Thermal Guard를 통한 과열 방지

간단하고 신속한 마이그레이션 관리

최적의 품질의 구성 요소가 포함된 자체 통합 솔루션 경험

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